KREMNIY KARBID TALASI
Ilovalar: LED gofret yadrolari uchun epitaksial qatlam yupqa plyonkali materiallar (GaN, SiO2 va boshqalar) uchun ICP etching jarayoni, nozik seramika qismlari yordamida yarimo'tkazgich diffuziyasi va yarimo'tkazgichli gofretlar uchun MOCVD epitaksial jarayoni. Silikon karbidli keramik tovoqlar yuqori qattiqlik, aşınma qarshiligi, yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi, yuqori haroratli mexanik barqarorlik va korroziyaga chidamliligi, shuningdek, yuqori aniqlik va bir xillik afzalliklariga ega bo'lgan yuqori toza, bosimsiz sinterlangan silikon karbidli keramik materialdan tayyorlangan. gofretning epitaksial qatlamini qirqish.
Ta'rif
SiC tovoqlar boshqa turdagi tovoqlar bilan solishtirganda juda ko'p afzalliklarga ega. Avvalo, ularning yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi ularni sinterlash va payvandlash kabi issiqlik bilan ishlov berish jarayonlari uchun ideal qiladi. Ular 1650 gradusgacha bo'lgan haroratga burishmasdan yoki yomonlashmasdan bardosh bera oladi, ya'ni ular boshqa materiallar ishlamay qoladigan og'ir muhitda ishlatilishi mumkin.
Ikkinchidan, kremniy karbid tovoqlar kimyoviy jihatdan inertdir va ko'pgina kimyoviy moddalar, jumladan kislotalar, asoslar va tuzlar bilan reaksiyaga kirishmaydi. Bu xususiyat ularni qattiq kimyoviy moddalar ko'pincha ishlatiladigan kimyo va farmatsevtika sanoatida foydalanish uchun ideal qiladi.
Uchinchidan, SiC tovoqlar juda aşınmaya bardoshli va past issiqlik kengayish koeffitsientiga ega. Bu ularni yuqori haroratli pechlarda ishlatish uchun ideal qiladi, bu erda qismlar yaxshi joylashishi va termal o'zgarishlar tufayli kengaymasligi yoki qisqarmasligi kerak.
